扎蘭屯696臺2025年第二期考試題[復制]
一、填空題（每題 2 分，共 10 分）
2. 晶體三極管有三個極，分別是發(fā)射極、基極和______。
3. npn 型晶體管發(fā)射區(qū)是______區(qū)，基區(qū)是______區(qū)，集電區(qū)是______區(qū)。（填 “n” 或 “p”）
4. 晶體管放大的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏且發(fā)射結(jié)電壓 ube 要大于開啟電壓 u?，以及______。
5. 晶體三極管的輸出特性曲線可分為三個區(qū)域，分別是放大區(qū)、飽和區(qū)和______。
三極管的電流放大倍數(shù) β 是在______為常量時，ΔIC 與 ΔIB 之比。
二、單項選擇題（每題 2 分，共 40 分）
1、以下關于晶體三極管外形的描述，錯誤的是（ ）。
A. 有像小帽子的外形
B. 有扁平的外形
C. 大功率三極管都沒有孔
D. 有類似女士草帽的外形
2、二極管制作時，中間很薄的區(qū)域是（ ）。
A. n 區(qū)
B. p 區(qū)
C. 集電區(qū)
D. 發(fā)射區(qū)
3、npn 型管符號中，箭頭的方向是（ ）。
A. 從 n 區(qū)指向 p 區(qū)
B. 從 p 區(qū)指向 n 區(qū)
C. 從發(fā)射極指向基極
D. 從基極指向發(fā)射極
4、關于發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的區(qū)別，說法正確的是（ ）。
A. 發(fā)射區(qū)摻雜濃度低
B. 集電區(qū)面積小
C. 發(fā)射區(qū)多數(shù)載流子濃度高
D. 基區(qū)多數(shù)載流子濃度高
5、在三極管放大電路中，RB 電阻的作用是（ ）。
A. 把基極電流的變化轉(zhuǎn)化為電壓的變化
B. 限制回路電流，防止 PN 結(jié)因電流過大損壞
C. 使集電極電位高于基極電位
D. 提供放大所需的電源
6、晶體管內(nèi)部載流子運動中，形成發(fā)射極電流的是（ ）。
A. 擴散運動
B. 復合運動
C. 漂移運動
D. 以上都不是
7、晶體三極管的共射輸入特性是以（ ）為自變量，以 IB 為函數(shù)。
A. UCE
B. UBE
C. IC
D. IB
8、小功率管，當 CE 之間電壓大于（ ）伏時，一條輸入特性曲線可近似代表所有大于該電壓的特性曲線。
A. 0
B. 0.7
C. 1
D. 2
9、在三極管輸出特性曲線的放大區(qū)，IC 幾乎僅僅決定于（ ）。
A. UCE
B. UBE
C. IB
D. 電源電壓
10、三極管的穿透電流 ICEO 是（ ）。
A. 射極開路時集電結(jié)加反偏的漂移電流
B. 基極開路時集電結(jié)加反偏的漂移電流
C. 發(fā)射結(jié)加正偏時的電流
D. 集電結(jié)加正偏時的電流
11、當晶體管工作在放大區(qū)時，若基極電流 IB 增大，則集電極電流 IC（ ）。
A. 不變
B. 減小
C. 增大
D. 不確定
12、在共射放大電路中，若電源電壓 VCC 增大，其他條件不變，則晶體管（ ）。
A. 更易進入飽和區(qū)
B. 更易進入截止區(qū)
C. 放大倍數(shù)增大
D. 放大倍數(shù)減小
13、對于理想晶體管，下列說法正確的是（ ）。
A. β 處處不相等
B. β 和 β?杠不相等
C. 穿透電流不為 0
D. IB 等差變化時，輸出特性是等距離平行線
14、三極管處于飽和狀態(tài)時，下列關系正確的是（ ）。
A. UCE＞UBE
B. UCE＜UBE
C. IC = βIB
D. IC＞βIB
15、當溫度升高時，三極管的輸入特性曲線（ ）。
A. 向左平移
B. 向右平移
C. 不變
D. 無法確定
16、三極管的交流參數(shù)中，使 β 等于 1 的信號頻率是（ ）。
A. fT
B. 截止頻率
C. 特征頻率
D. 最高振蕩頻率
17、三極管的最大集電極耗散功率 PCM 與（ ）有關。
A. IC 和 UCE
B. IB 和 UCE
C. IC 和 UBE
D. IB 和 UBE
18、在測試三極管電壓傳輸特性時，當輸入電壓小于晶體管開啟電壓時，三極管處于（ ）。
A. 放大區(qū)
B. 飽和區(qū)
C. 截止區(qū)
D. 不確定
19、晶體三極管在數(shù)字電路中通常工作在（ ）。
A. 放大區(qū)
B. 飽和區(qū)或截止區(qū)
C. 線性區(qū)
D. 以上都不對
關閉
更多問卷
復制此問卷